Enligt utländska medier rapporterar ingenjörer från Electronic Information Technology Institute (Leti), ett dotterbolag till den franska atomenergiorganet (CEA), att deras nya sätt att producera Micro LEDs kommer att revolutionera produktionen av högpresterande skärmar med ström LCD-skärmar och utmärkt bildkvalitet och energieffektivitetsdesign jämfört med organiska lysdioder (OLED).
Francois Templier, direktör för marknadsföringsstrategi för Leti Photonics, introducerade nyligen en ny tillverkningsprocess som kombinerar ljusemitterande halvledare med kiselbaserade drivkretsar vid SID-displayveckan i San Jose, Kalifornien.
Utvecklingen av stora bildskärmar som kräver högre bildupplösning innebär att snabbare elektroniska enheter behövs för att driva alla bildtyper, inklusive Samsungs nya kommersiella Micro, som innehåller miljontals individuella pixelemitterare. LED-format och andra produkter.
Existerande drivkretsar baserade på tunnfilmstransistor (TFT) aktiv matrisutformning ger emellertid inte de nödvändiga ström- och hastighetskraven. Den nya metoden utvecklad av Leti producerar en högpresterande GaN Micro LED-skärm som drivs av CMOS med en förenklad överföringsprocess som eliminerar behovet av ett konventionellt TFT-backplane. De röda, gröna och blåa mikrolamporna staplas direkt på mikro CMOS-kretsen före överföring av varje enhet till ett enkelt mottagarsubstrat, och ljussändarna och bakplattan tillverkas samtidigt på en waferskala på en enskild halvledarbehandlingslinje.
